ENJ2005-C晶體管圖示儀
系統(tǒng)特征：
● IV曲線顯示/局部放大
● 程序保護*大電流/電壓,以防損壞
● 品種繁多的曲線
● 可編程的數(shù)據(jù)點對應(yīng)
● 增加線性或?qū)?shù)
● 可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱
● 保存和重新導(dǎo)入入口程序
● 保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象
● 曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL
● 曲線程序和數(shù)據(jù)自動存入EXCEL
● 測試范圍廣（19大類、27分類）
曲線測試：
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE（O,S,R,V） vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE（SAT） vs. IC
VBE（SAT） vs. IC
VBE（ON） vs. IC （use VBE test）
VCE（SAT） vs. IB at a range of ICVF vs. IF
測試參數(shù)：
漏電參數(shù)：IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
混合參數(shù)：rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數(shù)：IL
配置規(guī)格：
配置 規(guī)格/環(huán)境
主極電壓 1mV-2000V 尺       寸 450×570×280（mm）
電壓分辨率 1mV 質(zhì)       量 35kg
主極電流 0.1nA-50A 工作電壓 200V-240V
擴展電流 100A 電源頻率 47Hz-63Hz
電流分辨率 0.1nA 工作溫度 25℃-40℃
測試精度 0.2%+2LSB 通信接口 RS232 USB
測試速度 0.5mS/參數(shù) 系統(tǒng)功耗 <150w
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