ENX2020雪崩耐量測試系統(tǒng)
系統(tǒng)概述：
半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的基礎(chǔ)元件，其性能表現(xiàn)對整個(gè)電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能 夠承受電路中的電流，滿足一定的雪崩耐量。
雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減，此時(shí)元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓 時(shí)的抗擊穿能力。電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，通常的情況下，功率器件都會(huì)降額，從而留有足夠的電壓余量。但是，一些電源在輸 出短路時(shí)，初級中會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些 電機(jī)的負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。
該測試系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A，電壓 4500V，雪崩能量可達(dá) 2000J。測試的電壓和電 流波形同時(shí)被采集到示波器，并由示波器與工控機(jī)直接通訊，將采集數(shù)據(jù)傳輸給計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)經(jīng)過處理后，將測試數(shù)據(jù)以 EXCEL 表格形式顯示并進(jìn)行最終 的編輯和打印,同時(shí)可觀測雪崩波形。設(shè)備可滿足各種封裝形式的功率模塊測試需求，并預(yù)留電壓電流擴(kuò)展功能。
系統(tǒng)模塊：
主控單元、電源模塊、高壓輸出模塊、電流輸出模塊、數(shù)據(jù)采集模塊、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路
系統(tǒng)特征：
雪崩能量/電流超限提示、設(shè)備配有應(yīng)急裝置、可設(shè)置保護(hù)電壓、可連接handler
測試結(jié)果保存為Excel、測試波形采集及顯示、
規(guī)格/環(huán)境要求：
尺 寸：800x800x1800(mm)
質(zhì) 量：210kg
環(huán)境濕度：15~40℃
工作電壓：AC220V±10%無嚴(yán)重諧波
電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
大氣壓力：86Kpa~106Kpa
通信接口：USB RS232
系統(tǒng)功耗：320W
功能指標(biāo)：
配置 測試范圍 測試參數(shù) 條件 范圍
電壓
1000V IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管 EAS/單脈沖雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V
1000V~4500V±3%±10V
電流
200A MOSFETs
MOS場效應(yīng)管 EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA
100mA～2A±3%±5mA
2A～200A±3%±50mA
DIODEs
二極管 IAS/單脈沖雪崩電流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J
100J～500J±3%±5J
500J～2000J±3%±10J
PAS/單脈沖雪崩功率 IC檢測 50mV/A（取決于傳感器）
感性負(fù)載 10mH、20mH、40mH、80mH、100mH、
重復(fù)間隙時(shí)間 1~60s可調(diào)（步進(jìn)1s） 重復(fù)次數(shù)：1~50次 |
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