成人s级片子在线观看网,久久久久国产久精品成人,国产精品宾馆在线精品酒店,日韩片久久第一页精品,国产视频专区一区二区三区

<nav id="aiuya"><tbody id="aiuya"></tbody></nav>

<del id="aiuya"></del><del id="aiuya"><noscript id="aiuya"></noscript></del>

<rt id="aiuya"></rt>

企業(yè)名錄

產(chǎn)品大全

商業(yè)機(jī)會(huì)

企業(yè)建站

我的辦公室

易網(wǎng)站

企業(yè)名錄

您當(dāng)前位置是：產(chǎn)品大全 >> 儀器儀表 >> 電子測(cè)量?jī)x器 

MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測(cè)試服務(wù)中心

MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測(cè)試服務(wù)中心//MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測(cè)試服務(wù)中心

瀏覽大圖

公　司：西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

發(fā)布時(shí)間：2024年05月08日

留言詢(xún)價(jià)

聯(lián)系信息

企業(yè)信息

蒲經(jīng)理先生 (運(yùn)營(yíng)經(jīng)理)

聯(lián)系時(shí)，請(qǐng)說(shuō)是在企業(yè)錄看到的，謝謝！

電　　話(huà)： 17792574070 傳　　真：手　　機(jī)： 17792574070 地　　址：中國(guó)陜西西安市高新區(qū)錦業(yè)路69號(hào)創(chuàng)新商務(wù)公寓1號(hào)樓0310室郵　　編：
公司主頁(yè)：	http://chbdt.qy6.com.cn(加入收藏)

詳細(xì)說(shuō)明

檢測(cè)項(xiàng)目覆蓋產(chǎn)品檢測(cè)能力參考標(biāo)準(zhǔn)
直流參數(shù) MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產(chǎn)品；檢測(cè)*大電壓：7500V 檢測(cè)*大電流：6000A 國(guó)標(biāo)，IEC
雪崩能量 MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測(cè)*大電壓：2500V 檢測(cè)*大電流：200A 美軍標(biāo)
柵極電阻 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件檢測(cè)阻抗：0.1Ω～50Ω JEDEC
開(kāi)關(guān)時(shí)間 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體單管器件；檢測(cè)*大電壓：1200V 檢測(cè)*大電流：200A 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
開(kāi)關(guān)時(shí)間 IGBT等模塊產(chǎn)品檢測(cè)*大電壓：2700V 檢測(cè)*大電流：4000A 國(guó)標(biāo)，IEC
反向恢復(fù) MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測(cè)*大電壓：1200V 檢測(cè)*大電流：200A 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
反向恢復(fù) IGBT等模塊產(chǎn)品檢測(cè)*大電壓：2700V 檢測(cè)*大電流：4000A 國(guó)標(biāo)，IEC
柵極電荷 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測(cè)*大電壓：1200V 檢測(cè)*大電流：200A 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
柵極電荷 IGBT等模塊產(chǎn)品檢測(cè)*大電壓：2700V 檢測(cè)*大電流：4000A 國(guó)標(biāo)，IEC
短路耐量能力 MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測(cè)*大電壓：1200V 檢測(cè)*大電流：1000A 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，IEC等
短路耐量能力 IGBT等模塊產(chǎn)品檢測(cè)*大電壓：2700V 檢測(cè)*大電流：10000A 國(guó)標(biāo)，IEC
結(jié)電容 MOSFET、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件檢測(cè)*大電壓：3000V IEC
參數(shù)曲線掃描 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件的I-V、C-V曲線檢測(cè)*大電壓：3000V 檢測(cè)*大電流：1500A 溫度：-70°C~180°C 美軍標(biāo)，IEC等
熱阻性能 MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管產(chǎn)品 *大功率：250W 美軍標(biāo)，JEDEC
熱阻性能 IGBT等模塊產(chǎn)品 *大功率：4000W 美軍標(biāo)，JEDEC
ESD能力 MOSFET、IGBT、IC等產(chǎn)品 HBM*大電壓：8000V；MM*大電壓：800V 美軍標(biāo)，ANSI，JEDEC等
*正向浪涌能力 DIODE（Si/SiC）、整流橋檢測(cè)*大電流：800A 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)

免責(zé)聲明：以上所展示的信息由會(huì)員自行提供，內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)，www.qy6.com對(duì)此不承擔(dān)任何責(zé)任。如有侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)來(lái)信通知?jiǎng)h除。

該公司其他產(chǎn)品信息

·MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半
·電子元器件測(cè)試分析可靠性實(shí)驗(yàn)室
·分立器件IGBT電參數(shù)測(cè)試服務(wù)
·MOSFET電子器件失效分析實(shí)驗(yàn)室
·功率半導(dǎo)體模塊可靠性雪崩浪涌功率循環(huán)
·電力電子器件 IGBT MOS測(cè)試分析實(shí)驗(yàn)室
·IGBT，SIC MOS電參數(shù)測(cè)試服務(wù)
·MOSFET、IGBT、DIODE雪崩能力測(cè)試中心
·DIODE（Si/SiC）、整流橋浪涌電流測(cè)試實(shí)驗(yàn)
·低溫存儲(chǔ)測(cè)試
·長(zhǎng)禾半導(dǎo)體測(cè)試服務(wù)IGBT測(cè)試
·功率半導(dǎo)體模塊可靠性雪崩浪涌功率循環(huán)
·MOSFET、IGBT直流電參數(shù)測(cè)試服務(wù)中心
·高低功率IGBT模塊靜態(tài)測(cè)試，動(dòng)態(tài)測(cè)試第三方
·IGBT模塊開(kāi)關(guān)特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)室
·半導(dǎo)體模塊IGBT測(cè)試服務(wù)
·IGBT，SIC MOS半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)測(cè)試服務(wù)
·IGBT,SiC MOS輸入電容測(cè)試服務(wù)
·電力電子器件 IGBT MOS測(cè)試分析實(shí)驗(yàn)室
·功率半導(dǎo)體模塊高溫反偏試驗(yàn)（HTRB）測(cè)試服
·IGBT模塊工作原理以及檢測(cè)服務(wù)
·MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導(dǎo)體器件單
·分立器件IGBT電參數(shù)測(cè)試服務(wù)
· IGBT,SiC MOS結(jié)電容測(cè)試服務(wù)（長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室
·半導(dǎo)體電子元器件高溫門(mén)極試驗(yàn)（HTGB）測(cè)試
·高低功率IGBT模塊靜態(tài)測(cè)試，動(dòng)態(tài)測(cè)試第三方
·IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試服務(wù)（
·IGBT,SiC MOS輸入電容測(cè)試服務(wù)
·MOSFET、IGBT柵極電阻測(cè)試服務(wù)中心
·IGBT開(kāi)關(guān)特性，反向恢復(fù)測(cè)試

1 2 直接到第頁(yè)

共 40 條信息，當(dāng)前顯示第 1 - 30 條，共 2 頁(yè)

1 2 3 4 5 6 7 ..

聯(lián)系人：蒲經(jīng)理電話(huà)：17792574070

關(guān)于我們 | 網(wǎng)站指南 | 廣告服務(wù) | 誠(chéng)招代理 | 誠(chéng)聘英才 | 付款方式 | (企業(yè)錄)聯(lián)系方式 | 友情鏈接 | 網(wǎng)站地圖

界首市| 辽宁省| 河源市| 景泰县| 新竹市| 铜山县| 德庆县| 突泉县| 关岭| 大田县| 沛县| 汉寿县| 大余县| 呼和浩特市| 敖汉旗| 兴安盟| 侯马市| 恩平市| 金平| 铜梁县| 泸溪县| 卓尼县| 曲阳县| 巴彦县| 鹰潭市| 赣州市| 方山县| 蒲城县| 宜宾县| 新丰县| 天长市| 灵寿县| 织金县| 宜章县| 栾城县| 法库县| 上蔡县| 江油市| 剑阁县| 嵊州市| 通许县|

<button id="gaki6"><noscript id="gaki6"></noscript></button>