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長(zhǎng)禾第三方功率器件檢測(cè)中心IGBT測(cè)試

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公　司：西安長(zhǎng)禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

發(fā)布時(shí)間：2024年05月08日

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檢測(cè)項(xiàng)目覆蓋產(chǎn)品檢測(cè)能力參考標(biāo)準(zhǔn)
功率循環(huán)試驗(yàn)（PC） IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流*大1800A 12V IEC 客戶自定義
高溫反偏試驗(yàn)（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件溫度*高150℃；電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫門極試驗(yàn)（HTGB） MOSFET、SiC MOS等單管器件溫度*高150℃；電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
高溫工作壽命試驗(yàn)（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件溫度*高150℃ 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等
低溫工作壽命試驗(yàn)（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件溫度*低-80℃ 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國(guó)標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等

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