二次離子質(zhì)譜(SIMS)檢測(cè)薄膜的成份等
二次離子質(zhì)譜分析技術(shù)(SIMS)是用來(lái)檢測(cè)低濃度摻雜劑和雜質(zhì)的分析技術(shù)。 它可以提供范圍在數(shù)埃至數(shù)十微米內(nèi)的元素深度分布。SIMS是通過(guò)一束初級(jí)離子來(lái)濺射樣品表面。二次離子在濺射過(guò)程中形成并被質(zhì)譜儀提取分析. 這些二次離子的濃度范圍可以高達(dá)被分析物本體水平或低于ppm痕量級(jí)以下。
SIMS可幫助客戶(hù)解決產(chǎn)品研發(fā)、質(zhì)量控制、 失效分析、故障排除和工藝監(jiān)測(cè)中的問(wèn)題。
SIMS應(yīng)用：
 摻雜劑與雜質(zhì)的深度剖析
薄膜的成份及雜質(zhì)測(cè)定 （金屬、電介質(zhì)、鍺化硅 、III-V族、II-V族）
超薄薄膜、淺植入的超高深度辨析率剖析
硅材料整體分析，包含B, C, O,以及N
工藝工具（離子植入）的高精度分析
主要優(yōu)點(diǎn)：
SIMS應(yīng)用優(yōu)點(diǎn)：
 優(yōu)異的摻雜劑和雜質(zhì)檢測(cè)靈敏度。可以檢測(cè)到ppm或更低的濃度
 深度剖析具有良好的檢測(cè)限制和深度辨析率
 小面積分析（10 μm 或更大）
 檢測(cè)包含H在內(nèi)的元素及同位素
應(yīng)用局限性：
 破壞性分析
 無(wú)化學(xué)鍵聯(lián)信息
 只能分析元素
 樣品必須是固態(tài)以及真空兼容
 要分析的元素必需是已知的​ |
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