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1200度PECVD等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 真空鍍膜

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MXGH1200-PECVD型等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：此款設(shè)備配有Plasma實(shí)現(xiàn)等離子增強(qiáng)，滑軌式設(shè)計(jì)在操作時(shí)可將實(shí)驗(yàn)需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個(gè)快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置，可準(zhǔn)確的控制反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣體壓力，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對(duì)于做低壓CVD非常簡(jiǎn)單實(shí)用，工藝重復(fù)性好，對(duì)于石墨烯生長(zhǎng)工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實(shí)驗(yàn)。

主要功能和特點(diǎn)：

1、利用輝光放電產(chǎn)生等離子體電子激活氣相；

2、提高了氣相反應(yīng)的沉積速率、成膜質(zhì)量；

3、可通過(guò)調(diào)整射頻電源頻率來(lái)控制沉積速率；

4、能廣泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生長(zhǎng)。