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揚州浪涌電氣有限公司
| 聯(lián)系人:張宇
先生 (業(yè)務經(jīng)理) |
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手 機:15252727740  |
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| 1級試驗in100KA浪涌保護器up2.5kv |
為什么普通壓敏芯片無法做到擊穿點在中部?
壓敏電阻通常燒成溫度在1150~1200℃之間,壓敏電阻中的氧化鉍、氧化銻等低熔點物質在800~950℃即已經(jīng)是液態(tài),高溫燒成下會形成氣態(tài)進一步揮發(fā),這種揮發(fā)主要發(fā)生在四周側面,其后果是構成一個從側面邊緣到中部的低熔點物質濃度差分布,嚴重者在邊緣地區(qū)形成一個低熔點物質的貧化帶,做8/20μS模擬雷電沖擊都有可能將之擊穿。所以是壓敏芯片的傳統(tǒng)制造工藝決定了其擊穿點只會在邊緣,而且越靠近邊緣越薄弱易擊穿。這就決定指望用加大銅電極面積來遮蓋擊穿點的方法不僅是徒勞的(因為擊穿點總會出現(xiàn)在導電體的邊緣),而且還有隱患(更容易擊穿)。
YLSP-T1-15KA/4P-385V(10/350us) Iimp=15kA
YLSP-T1-25KA/4P-320V(10/350us) Iimp=25kA
YLSP-T1-35KA/4P-320V(10/350us) Iimp=35kA
YLSP-T1-50KA/4P-320V(10/350us) Iimp=50kA
1級試驗in100KA浪涌保護器up2.5kv 揚州浪涌電氣有限公司專業(yè)制造! |
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