➢橋路設(shè)置內(nèi)部共有2個(gè)運(yùn)放工作，但2個(gè)運(yùn)放的設(shè)置卻有所不同。
*一個(gè)運(yùn)放增益可在外部用RF和RJ兩個(gè)電阻進(jìn)行設(shè)置(+IN和一IN端口)，而第二個(gè)運(yùn)放的增益則固定
不變。*一個(gè)運(yùn)放的輸出信號(hào)實(shí)際上是第二個(gè)運(yùn)放的輸入信號(hào)，而且兩個(gè)運(yùn)放產(chǎn)生的信號(hào)數(shù)量相同，相位相反。
如下: AvD = 2x(Rf/Ri)
為驅(qū)動(dòng)負(fù)載，運(yùn)放設(shè)置成橋接方式。橋接方式不同于-些常見的運(yùn)放電路把負(fù)載的-邊接到地，在同等條件
下能使負(fù)載產(chǎn)生4倍的輸出功率。
➢功耗
使用橋接的運(yùn)放電路，負(fù)載上產(chǎn)生的功耗也比較大，因此在規(guī)定電壓的條件下，負(fù)載功耗如”F:
PoMAx= 4x(Voo)?1 (2?) RL
因此在5V輸入，80負(fù)載情況下，輸出*大功耗為625mW。但是此算法得出的結(jié)果如下:
Pomx= (TJmAx-TA)/ θJA
注: SOP封裝θja=140 CW, DIP 封裝θja=107 CW, MSOP封裝θJa=210 C/W
➢基準(zhǔn)電壓
電壓基準(zhǔn)端的外接電容, 0.1μF 的電容提高了內(nèi)部偏置電壓的穩(wěn)定性并且減少了
PSRR的影響。可以通過加大BYPASS端的對(duì)地電容值來改善PSRR. CB值的大小取決于對(duì)PSRR的要求。 |
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