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西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
| 聯(lián)系人：蒲經(jīng)理
先生 (運營經(jīng)理) |
| 電 話：17792574070 |
手 機：17792574070  |
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| IGBT電子元器件失效分析實驗室 |
長禾實驗室檢測能力范圍
1 功率金屬氧化物場效應(yīng)管 1 漏源間反向擊穿電壓 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3407.1 只測： -3.5kV～3.5kV
半導(dǎo)體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3407 只測： -3.5kV～3.5kV
2 通態(tài)電阻 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3421.1 只測： 0～10kΩ,,0～1500A
3 閾值電壓 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3404 只測： -10V～10V
4 漏極反向電流 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3415.1 只測： -100mA～100mA
5 柵極漏電流 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3411.1 只測： -100mA～101mA
6 體二極管壓降 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測： 0A～1500A
7 跨導(dǎo) 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3475.2 只測： 1ms～1000s
8 開關(guān)時間 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3472.2 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
9 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3472 只測： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
10 體二極管反向恢復(fù)時間 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測： 10ns～2µs
11 體二極管反向恢復(fù)電荷 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測： 1nC～100µC
12 柵極電荷 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3471.3 只測： Qg：0.5nC～500nC
13 單脈沖雪崩能量 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3470.2 只測： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
14 柵極串聯(lián)等效電阻 功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測試方法 JESD24-11:1996(R2002) 只測： 0.1Ω～50Ω
15 穩(wěn)態(tài)熱阻 半導(dǎo)體測試方法測試標準 MIL-STD-750F:2012 3161.1 只測： Ph：0.1W～250W
16 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 3161 只測： Ph：0.1W～250W
17 輸入電容 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
18 輸出電容 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
19 反向傳輸電容 半導(dǎo)體器件 分立器件 第8部分：場效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只測： -3kV～3kV,0～1MHz
20 老煉試驗 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 只測： 條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
21 溫度，反偏和操作壽命試驗 JESD22-A108F:2017 只測： HTRB和HTGB試驗
22 間歇功率試驗 半導(dǎo)體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 1042 |
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