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IGBT電子元器件失效分析實(shí)驗(yàn)室

詳細(xì)說明

長(zhǎng)禾實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)能力范圍

1 功率金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)管 1 漏源間反向擊穿電壓半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3407.1 只測(cè)： -3.5kV～3.5kV

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3407 只測(cè)： -3.5kV～3.5kV

2 通態(tài)電阻半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3421.1 只測(cè)： 0～10kΩ,,0～1500A

3 閾值電壓半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3404 只測(cè)： -10V～10V

4 漏極反向電流半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3415.1 只測(cè)： -100mA～100mA

5 柵極漏電流半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3411.1 只測(cè)： -100mA～101mA

6 體二極管壓降半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 4011.4 只測(cè)： 0A～1500A

7 跨導(dǎo) 半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3475.2 只測(cè)： 1ms～1000s

8 開關(guān)時(shí)間半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3472.2 只測(cè)： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A

9 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3472 只測(cè)： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A

10 體二極管反向恢復(fù)時(shí)間半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測(cè)： 10ns～2µs

11 體二極管反向恢復(fù)電荷半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3473.1 只測(cè)： 1nC～100µC

12 柵極電荷半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3471.3 只測(cè)： Qg：0.5nC～500nC

13 單脈沖雪崩能量半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3470.2 只測(cè)： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A

14 柵極串聯(lián)等效電阻功率MOSFET柵極串聯(lián)等效電阻測(cè)試方法 JESD24-11:1996(R2002) 只測(cè)： 0.1Ω～50Ω

15 穩(wěn)態(tài)熱阻半導(dǎo)體測(cè)試方法測(cè)試標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-750F:2012 3161.1 只測(cè)： Ph：0.1W～250W

16 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 3161 只測(cè)： Ph：0.1W～250W

17 輸入電容半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.10 只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz

18 輸出電容半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.11 只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz

19 反向傳輸電容半導(dǎo)體器件分立器件第8部分：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 IEC 60747-8:2010 6.3.12 只測(cè)： -3kV～3kV,0～1MHz

20 老煉試驗(yàn) 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042 只測(cè)：條件A、條件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃

21 溫度，反偏和操作壽命試驗(yàn) JESD22-A108F:2017 只測(cè)： HTRB和HTGB試驗(yàn)

22 間歇功率試驗(yàn) 半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法 GJB 128A-1997 1042