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產(chǎn)品目錄

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100

詳細說明

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 具有良好的均勻性和高蝕刻率, 均勻度 < ±5%, 刻蝕速率 >10 nm/min, 具有高冷卻效果.

所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量.

占用空間小, 容易維護和用戶操作友好.



Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 產(chǎn)品優(yōu)勢：

1. 所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產(chǎn)品的無差錯、高穩(wěn)定性和高質(zhì)量

2. 盒式房間采用**微粒過濾器

3. 采用高質(zhì)量的蝕刻考夫曼離子源, 保證良好的均勻性和高蝕刻率

4. 占用空間小

5. 傳輸系統(tǒng)采用了 SCARA 型機器人

6. 控制單元系統(tǒng)提供操作通過觸摸屏/ 10.4英寸, 數(shù)據(jù)記錄可以顯示在屏幕上

7. 高冷卻效果

8. 良好的重復性和再現(xiàn)性的旋轉(zhuǎn)和傾斜階段具有良好的可重復性利用脈沖電動機

9. 容易維護這個系統(tǒng)設(shè)計重點是容易維護和用戶友好

10. 關(guān)鍵部件服務(wù)伯東的經(jīng)銷商是系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件渦輪泵系統(tǒng)、離子源提供客戶快速響應(yīng)時間和本地服務(wù)能力,減少停機時間的工具

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 技術(shù)參數(shù):

Model MEL3100 Main body

Wafer size 3"～6" Power

Supply AC200V 3ph 40A

Wafer per batch 1 wafer *two lines

Cassette No. 25 wafers Cooling

Water 15 (l/min)

Q'ty 1pc. <20℃

Throughput 10 (wafer/hr) *1 CDA 0.5 (MPa)

Pressure Ultimate 8×10-5 (Pa) *2 >10 (l/min)

Process 2×10-2 (Pa) *2 N2 0.2 (MPa)

Etching Rate >10 (nm/min)@SiO2 *3 >40 (l/min)

Uniformity ±5%@132mm (6") *3 Ar 0.2 (MPa)

Wafer surface temp. <100℃ *3 20 (sccm)

Stage rotating 1～20 (rpm) ±5% He 0.2 (MPa)

Stage tilting ±90°±0.5° 20 (sccm)

Dimension

W×D×H (mm) Main body 1,600×2,175×1,900 *need additional utilities

for Dry pump

Co***oller 640×610×1,900

Chiller 555×515×1,025

Weight (kg) Main body 1,700

Co***oller 200

Chiller 100

*1: Estimated process time 5min

*2: No wafer on stege / process chamber

*3: Depending on process

Hakuto 全自動離子刻蝕機 MEL 3100 產(chǎn)品示意圖：

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