1MHZ以內(nèi)，以差模干擾為主。
①增大X電容量；
②添加差模電感；
③小功率電源可采用 PI 型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。
1MHZ-5MHZ，差模共�；旌�，采用輸入端并聯(lián)一系列 X 電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決，
①對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；
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②對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制；
③也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如 FR107 一對(duì)普通整流二極管1N4007。
5M以上，以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法。
對(duì)于外殼接地的，在地線上用一個(gè)磁環(huán)串繞 2-3 圈會(huì)對(duì) 10MHZ 以上干擾有較大的衰減作用; 可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔, 銅箔閉環(huán). 處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。
20-30MHZ，
①對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2 電容量或改變Y2 電容位置；
②調(diào)整一二次側(cè)間的Y1 電容位置及參數(shù)值；
③在變壓器外面包銅箔；變壓器最里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。
④改變PCB LAYOUT；
⑤輸出線前面接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
⑥在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù)；
⑦在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
⑧在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。
⑨可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻.
30-50MHZ，普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起。
①可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻；
②RCD緩沖電路采用1N4007 慢管；
③VCC供電電壓用1N4007 慢管來(lái)解決；
④或者輸出線前端串接一個(gè)雙線并繞的小共模電感；
⑤在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路；
⑥在變壓器與MOSFET之間加BEAD CORE；
⑦在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容；
⑧PCB心LAYOUT 時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的��；
⑨變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。
50-100MHZ，普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起。
①可以在整流管上串磁珠；
②調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù)；
③可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEAD CORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮瑁?nbsp;
④也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射（如鐵夾卡MOSFET; 鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn)）；
⑤增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射。
200MHZ以上，開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。
補(bǔ)充說(shuō)明:
開(kāi)關(guān)電源高頻變壓器初次間一般是屏蔽層的，以上未加綴述。開(kāi)關(guān)電源是高頻產(chǎn)品，PCB的元器件布局對(duì)EMI,請(qǐng)密切注意此點(diǎn)。
開(kāi)關(guān)電源若有機(jī)械外殼，外殼的結(jié)構(gòu)對(duì)輻射有很大的影響，請(qǐng)密切注意此點(diǎn)。主開(kāi)關(guān)管、主二極管不同的生產(chǎn)廠家參數(shù)有一定的差異，對(duì) EMC 有一定的影響，請(qǐng)密切注意此點(diǎn)。
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