電子級(jí)反式-1，2-二氯乙烯/DCE/TRANS-LC（DCE）
名稱 反式-1,2-二氯乙烯/DCE/ TRANS-LC
化學(xué)式 C2H2Cl2
相對(duì)分子量 96.94
CAS號(hào) 156-60-5
理化性質(zhì) 無色略帶刺激氣味液體，熔點(diǎn)－57℃，沸點(diǎn)48℃，密度1.265g/ml。易燃，其蒸氣與空氣可形成爆炸性混合物。與氧化劑能發(fā)生強(qiáng)烈反應(yīng)。與酸堿需隔離存放。
主要用途:
高純度氯源，主要用于晶圓制造過程中加快硅片氧化和清洗爐管。是半導(dǎo)體、分立器件、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、光伏制造業(yè)所需的電子化學(xué)品。
產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn):
項(xiàng)目Item 標(biāo)準(zhǔn)值Standard Value 項(xiàng)目Item 標(biāo)準(zhǔn)值Standard Value
純 度 99.999995%（7.5N） 錳（Mn）max 0.1ppb
CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學(xué)氣相沉積材料
Dielectrics PMD/IMD TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB
Low K Dielectrics 4MS ,OMCATS
High K Dielectrics TAETO (Ta2O5 Precursor )
TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor)
TMA (Al2O3 Precursor)
Metal Gate and Interconnect Metal TDMAT (TiN Precursor )
TiCl4 ( Ti /TiN Precursor )
Low-Temp Nitride/Oxide HCDS
Diffusion POCl3
供應(yīng)半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積材料，專業(yè)研發(fā)及製造各種先進(jìn) CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學(xué)氣相沉積材料。
CVD Precursor(化學(xué)氣相沉積材料)
TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/T |
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