2 微波芯片電容器Microwave Chip Capacitors
2.1 概述Overview
2.1.1 產(chǎn)品的特性Features
隨著無(wú)線(xiàn)技術(shù)的迅猛發(fā)展，工作頻率的不斷升高，
對(duì)元器件的小型化要求越來(lái)越高。由于芯片電容器具有
以下特點(diǎn)，因此該產(chǎn)品非常適合對(duì)頻率、便攜性要求高
的無(wú)線(xiàn)應(yīng)用領(lǐng)域。
􀂾 陶瓷介質(zhì)，強(qiáng)度高，耐高溫
􀂾 結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單(MIM 電容器結(jié)構(gòu))，性能穩(wěn)定可靠
􀂾 TiW/Ni/Au 三層金屬電極，適合微組裝工藝（如金絲鍵合）
􀂾 適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn/Pb 、導(dǎo)電膠粘接
􀂾 低溫度變化率、低損耗、高Q 值
2.1.2 產(chǎn)品運(yùn)用Applications
􀂾 耦合（隔直）電容DC Block (coupling)
耦合隔直用電容作用是把射頻能量從電路的一部分轉(zhuǎn)移到另一部分，能量損失*小。
􀂾 旁路電容（去耦）Bypass (decoupling)
旁路電容的作用是提供一條低阻抗射頻接地通道，旁路電容越多，其可靠性越差。
􀂾 匹配電容ImpedanceMatching
匹配電容是用來(lái)實(shí)現(xiàn)信號(hào)傳輸線(xiàn)路上，阻抗?jié)M足特定要求（如50 歐姆系統(tǒng)匹配）而設(shè)計(jì)的電容。
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2.1.3 基本參數(shù)Basic Parameters
􀂾 標(biāo)稱(chēng)電容量Nominal Capacitance
􀂗 測(cè)量溫度Testing Temperature：25±3℃
􀂗 測(cè)量信號(hào)Testing Signal：1Vrms, 1MHz (Cp≤100pF) 或or 1KHz (Cp>100pF)
􀂗 容量標(biāo)識(shí)Capacitance Representation
電容量的標(biāo)識(shí)一般采用三個(gè)字符來(lái)表示容量。字母R 代表小數(shù)點(diǎn)的位置，如果三位字符均為數(shù)字時(shí)，末
尾數(shù)字代表0 的個(gè)數(shù)。
􀂾 電容量精度Capacitance Tolerance
相對(duì)標(biāo)稱(chēng)值允許的誤差，以%表示；小容量時(shí)，以±⊿C 表示。
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